کنترل و کاهش جریان نشتی در مدارهای دیجیتال cmos با تکنولوژی dsm بمنظور کاهش مصرف توان

thesis
abstract

عملکرد منطقی پر سرعت با مصرف توان پایین عنصر کلیدی انواع میکروپروسسورها، ابرکامپیوترها، ارتباطات دوربرد و پردازش سیگنال‏های دیجیتال است. از آنجاییکه مدارات دینامیک در مقایسه با مدارات cmos استاتیک مرسوم دارای سرعت سوئیچینگ بالاتری بوده و مساحت کمتری را مصرف می‏نمایند، کاربرد وسیعی در مدارات vlsi پیدا کرده‏اند. جهت دستیابی به سرعت عملکردی بالای مدار با توان مصرفی پایین، از میان ساختارهای مختلف دینامیک ساختار anl که با داشتن طبقه latch در هر سلول خود آماده خط‏لوله‏ای شدن است، مناسب‏ترین گزینه است. اما ساختارهای مختلف anl بدلیل مشکل race problem دارای glitch در سیگنال خروجی هستند. در این پایان‏نامه دو ساختار با نام‏های tpanl و tpsanl ارائه شده ‏است که با استفاده از کلاک دو فاز غیر همپوشان قادر به حذف glitch خروجی هستند. بهبود سرعت عملکردی در ساختار tpanl بدلیل کاهش ظرفیت خازنی گره‏ ارزیابی مدار است و این ساختار می‏تواند در هر دو ناحیه وارونگی شدید و زیرآستانه عملکرد صحیح با توان مصرفی کمتر نسبت به دیگر ساختارهای anl داشته باشد. ساختار پیشنهادی tpsanl نیز در ناحیه زیرآستانه می‏تواند باعث افزایش ماکزیمم فرکانس کاری مدار شود. علی‏رغم ساختار خط‏لوله‏ای غیرمعکوس‏کننده/معکوس‏کننده در منطق anl، هر دو منطق پیشنهادی tpanl و tpsanl بر اساس ساختار خط‏لوله‏ای غیرمعکوس‏کننده/غیرمعکوس‏کننده استوار هستند و به‏همین دلیل مشکل افت ولتاژ روی ترانزیستورهای nmos بلوک معکوس‏کننده در ناحیه زیر‏آستانه را برطرف‏ می‏نمایند. علاوه‏براین، برای پیاده‏سازی جمع‏کننده cla، یک ساختار درختی جدید پیشنهاد شده است که باعث کاهش طبقات تأخیر مورد نیاز می‏شود. در این پایان‏نامه انواع منابع مصرف توان و روش‏های کاهش آن‏ها در مدارات دیجیتال مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین گیت‏های منطقی پایه استاتیک و ساختارهای مختلف مالتی‏پلکسر دیجیتال پرکاربرد، در نواحی عملکردی وارونگی شدید و زیرآستانه طراحی شده و از نظر جریان و توان نشتی و نیز توان مصرفی متوسط مورد مقایسه قرار گرفته‏اند.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

کاهش توان نشتی مدارهای ناهمگام در تکنولوژی بسیار زیرمیکرون

مشکلات مطرح در سیستم های همگام در مدارهای بسیار مجتمع، طراحی های ناهمگام را به عنوان یکی از نامزدهای روشهای طراحی، در تکنولوژی های آینده مطرح کرده است. در ازای مزایای که با استفاده از طراحی ناهمگام حاصل می شود، تعداد ترانزیستورهای مــدار به شدت افزایــش می یابد. کاهش اندازه تکنولوژی و همچنین افزایش حجم مدارها موجب شده است تا توان نشتی به عنوان بخش مهمی از مجموع توان مصرفی تراشه ها در تکنولوژی ب...

15 صفحه اول

یک راهکار جدید برای کاهش جریان نشتی در کلید های CMOS

CMOS switches are one of the main components of today's analog circuits. Among the many types of non-idealities that can affect the performance of the switch, its leakage current is of utmost importance. In order to reduce the leakage current or equally increase the OFF resistance of any switch, a novel technique is presented in this paper. The proposed technique employs the body effect to incr...

full text

کاهش مصرف توان در پردازنده های دیجیتالی با تاکید بر جریان و توان نشتی

در سال های اخیر به دلیل افزایش سیستم های قابل حمل که منابع تغذیه ی قابل دسترسی محدودی دارند، مصرف توان به یکی از مفاهیم اساسی در طراحی سیستم ها تبدیل شده است. در تکنولوژی های cmos این مصرف توان به دو بخش توان استاتیکی و توان دینامیکی تقسیم می شود. توان استاتیکی معمولا در مدار های با فشردگی پائین قابل صرفنظر است، اما با مقیاس بندی تکنولوژی و افزایش چگالی ترانزیستورها در تراشه ها، بخش عمده ای از ...

15 صفحه اول

یک راهکار جدید برای کاهش جریان نشتی در کلید های cmos

کلید­های cmos یکی از ساختارهای اصلی و تاثیرگذار مدارهای الکترونیکی به شمار می­روند و به طور گسترده در مدارهای آنالوگ کاربرد دارند. یکی از شاخصه­های غیر ایده­آل این کلیدها مقاومت حالت خاموش و جریان نشتی معکوس آنها است. به منظورکاهش جریان نشتی کلیدهای ماسفت و در نتیجه آن افزایش مقاومت حالت خاموش کلید، یک روش جدید در این مقاله ارائه شده است. این راهکار با بهره برداری از اثر بدنه و افزایش ولتاژ آست...

full text

شبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شاهد

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023